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本文標題:"顯微衍射技術電子圖象-晶粒尺寸小于15-20μm"

發(fā)布者:yiyi ------ 分類: 行業(yè)動態(tài) ------ 人瀏覽過-----時間:2014-10-7 17:24:56

 顯微衍射技術電子圖象-晶粒尺寸小于15-20μm

 
    在多晶體中,各個晶粒的取向是通過蝕坑,或由顯微
衍射技術得到的電子圖象確定。立方對稱的主要平面
中蝕坑的典型形狀。但如果晶粒尺寸小于15-20μm,
 
則很難得到清晰的蝕坑.為此目的而使用電子顯微鏡是很費力的。
 
    對很大晶粒(超過0. 5mm)的取向可在勞埃照片或從單個大
晶粒上獲得的反射線勞埃照片上測定。所確定的取向在相應
的極圖上用圓點來標注。在極圖上,這些圓點分布的花樣表征織構.
 
從不同晶粒中取得的大量勞埃照片使極圖更可靠的表征織構類型。
然而這個方法相當費力。
 
    在這方面,建立在測量單個晶粒的反射強度基礎上的X射線
方法在再結晶分析中獲得更廣泛的應用.

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顯微衍射技術電子圖象-晶粒尺寸小于15-20μm,金相顯微鏡現(xiàn)貨供應


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